我使用的是STM32F411RE。 因为我的 RAM 中没有更多内存了。我决定在闪存中存储大变量。为此,我在
section.ld
中创建了一个部分。
.large_buffer: ALIGN(4)
{
. = ALIGN(4) ;
*(.large_buffer.large_buffer.*)
. = ALIGN(4) ;
} >FLASH
在
main.c
文件中,我声明变量如下:
uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));
此时一切正常,缓冲区未存储在RAM(bss)中,我可以访问它并重写它。
buffer[25] = 42;
printf("%d\n", buffer[25]); // 42
当我想从其他文件编辑变量时,问题就出现了。
main.c
uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));
int main()
{
myFunc(buffer);
}
other.c
myFunc(uint8_t* buffer)
{
buffer[25] = 42;
printf("%d\n", buffer[25]); // 0
}
buffer
永远不会在另一个文件中更改(作为参数传递)。
我错过了什么吗?
由于闪存的物理设计,您不能像写入 RAM 那样以相同的方式写入闪存。确切地说,您需要擦除扇区/页(比方说~ 1-4kB,它在您的 MCU 数据表中指定)。原因是闪存即使未通电也会保留状态,每当您想要更改值 0 -> 1 中的任何位时,您需要擦除整个扇区(擦除后所有位将设置为 1) 。
所以你不能使用Flash作为数据存储器,你可以做的是使用Flash来存储const(只读)值的变量,所以任何查找表都将完美地适合那里(通常是编译器当你将变量stat变量设置为const时)会将它们放入闪存内)。如何写入Flash您可以阅读您的MCU参考手册。
我想更新内存中的一个值,在程序(ST Link Utility)中你可以编辑每个房子,但是如何用该代码编辑地址?